蝕(shí)刻是一種利用化學(xué)強酸腐蝕、機械拋光或電化學電解(jiě)處理物體(tǐ)表麵的(de)技術。除了增強美感外,它還增加(jiā)了(le)產品的附加值。蝕刻(kè)技術的應用範(fàn)圍(wéi)包括蝕刻加工應用領域:電子消(xiāo)費領域、過濾與分(fèn)離技術、航空航天領域、醫療設備、精密機械、汽車、高端工藝品(pǐn)等。
那什麽是金屬蝕刻呢?金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理衝(chōng)擊去除多餘金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術可分為濕蝕(shí)刻和幹蝕(shí)刻。 金屬蝕刻由一係列化(huà)學工藝組成(chéng)。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
金屬蝕刻,又稱光(guāng)化學(xué)蝕(shí)刻,是(shì)指金屬(shǔ)蝕(shí)刻區的保護膜在曝光、製版、顯影、接(jiē)觸化學(xué)溶液後(hòu)去除,以達到溶解腐蝕、形成(chéng)凸點或挖空。最(zuì)早用於製造銅板、鋅板等印刷凹凸(tū)板,廣泛用於減輕儀(yí)表板重量或加(jiā)工銘牌等薄工件。經過技術和工藝設備的不斷改進,蝕刻技術已應用於航空、機械、化工、半導體製造工藝,加工電子薄精密 金屬蝕(shí)刻產品。
蝕(shí)刻技術的類型。
濕蝕刻:
濕蝕(shí)刻是將晶(jīng)圓浸泡在合適的化(huà)學(xué)溶液中,或將(jiāng)化(huà)學溶液噴射到晶圓上淬火,通過溶液與(yǔ)蝕刻物體的(de)化學反應去除膜表麵的原子,從而達到蝕刻的目的。濕蝕刻時,溶液中的反應物(wù)首先通過停滯邊界層擴散,然後(hòu)到達晶片表麵,產生化學反應(yīng),產生各(gè)種產物。蝕刻化學(xué)反(fǎn)應(yīng)的產物是液相或(huò)氣相產物,然後通(tōng)過邊界層(céng)擴(kuò)散並溶解到主溶(róng)液中(zhōng)。濕(shī)蝕(shí)刻不(bú)僅垂直(zhí)蝕刻,而且具有(yǒu)水平蝕刻效(xiào)果。
幹(gàn)蝕刻:
幹蝕刻通(tōng)常是一種等離子蝕刻或化學蝕刻。由於蝕刻效果的不同,等離子體中離子的物理原子、活性自由基的化學反應以(yǐ)及(jí)裝置(晶圓)的表麵原子,或兩(liǎng)者的組合,包括以下內容:
1)物理蝕刻:濺射蝕刻、離子束蝕刻
2)化(huà)學蝕刻(kè):等離子蝕刻
3)物理化學複合蝕刻:反應離子蝕刻
幹(gàn)蝕刻是一種各向異性蝕刻,具有(yǒu)良好的方向性,但選擇性比濕蝕刻差。在等離子(zǐ)體蝕刻中,等(děng)離子體(tǐ)是(shì)一種部分離解的氣體,氣體分(fèn)子(zǐ)被離解成電子、離子和其(qí)他具有高化學活性的(de)物質。幹蝕刻最大的優點是“各向異性蝕刻”。然而,(自由基)幹蝕刻的(de)選擇性低於濕蝕刻。這是因為幹蝕刻的蝕刻(kè)機理是物理相互作用;因此,離子的(de)衝擊不僅(jǐn)可以去除蝕(shí)刻膜,還可以去(qù)除光(guāng)刻膠掩模。
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