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化學蝕刻和光刻的區別

來源: | 時間:2026-06-18 | 閱讀文本僅需2分鍾

化學蝕刻和光刻是芯片行業中常見的兩(liǎng)種(zhǒng)加工(gōng)工藝,有的網友(yǒu)會把蝕刻和(hé)光刻混(hún)淆,其實這兩種加工的(de)區別還是很大的。下麵我們來了解一(yī)下兩者之間的工作原理和區別(bié)之處。

化學蝕刻

蝕刻分為兩種,一種是(shì)幹刻(kè),一種是濕刻。濕刻是(shì)目(mù)前蝕刻行業的(de)常用的方式,故名(míng)思議,濕蝕刻過(guò)程中有(yǒu)化學溶液液體(tǐ)加入(rù)。幹(gàn)刻則是通過等(děng)離子氣體代替化學溶液對加工件(jiàn)進行腐蝕。

光刻的原理是在製作好的矽(guī)圓表麵(miàn)塗上光刻膠,再通過紫外光、深紫外光、極(jí)紫外光等光線透過掩膜照射到矽圓表麵,因為光刻膠的覆蓋,照射到的部分被腐蝕掉,沒有光(guāng)照照射的區域則(zé)被留下了,留下的部分則是光刻加(jiā)工(gōng)完成的部件(jiàn)。
蝕(shí)刻和光刻的作用其實都是一樣的,都是通過(guò)媒介腐蝕(shí)去不需要的部(bù)分,留下需要的部分。但兩者(zhě)之(zhī)間的工(gōng)藝(yì)流(liú)程(chéng)和加工方式都(dōu)不一(yī)樣,且(qiě)蝕刻的加工材料範圍更廣,而光(guāng)刻目前主要加工半導體、矽片等材料。用芯(xīn)片加工來解釋,光(guāng)刻是在(zài)芯片上麵(miàn)刻出電路圖,而蝕刻則是將光刻(kè)刻出的電(diàn)路圖蝕刻出來。

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專(zhuān)精蝕(shí)刻

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